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產(chǎn)品資料

繞線元件脈沖測(cè)試器

如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: 繞線元件脈沖測(cè)試器
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品展商: Chroma
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔

簡(jiǎn)單介紹

高低感量測(cè)試應(yīng)用(0.1μH~100μH) 10V~1000V脈沖測(cè)試電壓,0.25V測(cè)量分辨率 高速測(cè)試*快18mS(Pulse 1.0 ; for ACQ) 具備電感測(cè)量接觸檢查功能 具備電感差異電壓補(bǔ)償功能 脈沖測(cè)試高取樣率(200MHz),10bits 崩潰電壓分析功能 低電壓量測(cè)檔位,提高波形分析靈敏度(25V/50V/100V/200V/400V/800V/1000V) 繁中/簡(jiǎn)中/英文操作接口 USB波形儲(chǔ)存與畫(huà)面擷取功能 圖形化彩色顯示 標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232 接口


繞線元件脈沖測(cè)試器  的詳細(xì)介紹
產(chǎn)品特色
  • 高低感量測(cè)試應(yīng)用(0.1μH~100μH)
  • 10V~1000V脈沖測(cè)試電壓,0.25V測(cè)量分辨率
  • 高速測(cè)試*快18mS(Pulse 1.0 ; for ACQ)
  • 具備電感測(cè)量接觸檢查功能
  • 具備電感差異電壓補(bǔ)償功能
  • 脈沖測(cè)試高取樣率(200MHz),10bits
  • 崩潰電壓分析功能
  • 低電壓量測(cè)檔位,提高波形分析靈敏度(25V/50V/100V/200V/400V/800V/1000V)
  • 繁中/簡(jiǎn)中/英文操作接口
  • USB波形儲(chǔ)存與畫(huà)面擷取功能
  • 圖形化彩色顯示
  • 標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232 接口
Chroma 19301A 為繞線組件脈沖測(cè)試器,結(jié)合了高低感量測(cè)試技術(shù)應(yīng)用,擁有1000Vdc脈沖電壓與200MHz高速取樣率,可提供0.1uH~100uH大范圍感量產(chǎn)品測(cè)試滿足絕大部份功率電感測(cè)試需求,擁有波形面積比較(Area Size)、波形面積差比較(Differential Area)、波形顫動(dòng)偵測(cè)(Flutter)、波形二階微分偵測(cè)(Laplacian)、波峰降比偵測(cè)(ΔPeak Ratio)/波峰比偵測(cè)(Peak Ratio)及共振波面積比(ΔResonant Area)等判定方法,可有效檢測(cè)線圈自體絕緣**。
繞線組件于生產(chǎn)檢測(cè)包含電氣特性、電氣安規(guī)耐壓進(jìn)行測(cè)試,而線圈之自體絕緣**通常是造成線圈于使用環(huán)境中發(fā)生層間短路、出腳短路之根源。其形成原因可能源于初始設(shè)計(jì)**、molding加工制程**,或絕緣材料之劣化等所引起,故加入線圈層間短路測(cè)試有其必要性。
Chroma 19301A 為針對(duì)繞線組件測(cè)試需求所設(shè)計(jì),利用一高壓充電之微小電容(測(cè)試能量低)與待測(cè)線圈形成RLC并聯(lián)諧振,由振蕩之衰減波形,透過(guò)高速且精密的取樣處理分析技術(shù),可檢驗(yàn)出線圈自體之絕緣**,提供功率電感組件進(jìn)行繞線質(zhì)量及磁芯之耐壓測(cè)試,讓組件生產(chǎn)廠商及用戶能更有效的為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)。
Chroma 19301A 應(yīng)用于低感量繞線組件測(cè)試,*小感量可達(dá)0.1uH,針對(duì)低感量測(cè)試特性提供四線式測(cè)量、接觸檢查功能、電感檢查與電壓補(bǔ)償功能,可避免因待測(cè)物感量變化大或配線等效電感而造成測(cè)試電壓誤差大,為低感量繞線組件脈沖測(cè)試*佳利器。
Chroma 19301A 于自動(dòng)化生產(chǎn)上應(yīng)用,擁有超高速測(cè)量速度有效縮短測(cè)試時(shí)間提升生產(chǎn)效率,且電壓補(bǔ)償功能改善了自動(dòng)化機(jī)臺(tái)配線等效電感之影響。
全新的人機(jī)操作接口,整合圖形化彩色顯示并提供畫(huà)面擷取功能,透過(guò)前面板USB儲(chǔ)存波形,不僅適用于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng),更可應(yīng)用于研發(fā)、品保單位使用進(jìn)行樣品分析比對(duì),大幅提升操作便利性。
 量測(cè)技術(shù)
脈沖測(cè)試概論與原理
『繞線組件脈沖測(cè)試』是對(duì)待測(cè)物施加一個(gè)『非破壞性』、高速、低能量之電壓脈沖。由于電容(Cs)與繞線組件并聯(lián),當(dāng)脈沖電壓加壓于并聯(lián)線路上時(shí),電容與繞線組件產(chǎn)生LC諧振(Resonance),觀察諧振振蕩(Oscillations)的衰減情況也就是阻尼(Damping)來(lái)了解繞線組件內(nèi)部線圈的制程狀態(tài)(包含線圈自體之絕緣、線圈感量及并聯(lián)電容量(Cw)等狀態(tài))(如圖1: 測(cè)試等效電路圖)。也可藉由分析/比對(duì)待測(cè)物良品與**品之等效波形以達(dá)到判定良否之目的。繞線組件脈沖測(cè)試主要功能為提早發(fā)現(xiàn)繞線組件中各種潛在之缺陷(例如:繞線層間短路、電極焊接**、內(nèi)部線圈或磁芯絕緣**等)。


Rp檢查(Rp Check)
利用波峰比偵測(cè)(Peak Ratio)來(lái)偵測(cè)Rp的大小為Chroma特有的測(cè)試技術(shù),可檢出Rp異?;蛄踊2糠蛛姼写郎y(cè)物在測(cè)試前既已因鐵芯損失過(guò)大或輕微鐵芯與漆包線短路導(dǎo)致Q值略低(Rp小),脈沖測(cè)試結(jié)束后,將開(kāi)關(guān)開(kāi)路(SW1 OFF)并觀察電壓震蕩波形中**個(gè)峰值與**個(gè)峰值的衰減速度及比例之差異來(lái)檢測(cè)出異常品。波峰比的值越大表示Rp的值也越大,相對(duì)的Q值也會(huì)比較高。


波形判定模式
  • 波形面積比較 (Area Size):將樣本和待測(cè)物彼此之總面積大小進(jìn)行比對(duì),面積大小與待測(cè)物線圈絕緣有關(guān),線圈絕緣**會(huì)造成波形快速衰減, 因此面積會(huì)相對(duì)較小。
  • 波形面積差比較 (Differential Area):將樣本和待測(cè)物做點(diǎn)對(duì)點(diǎn)面積差異以及設(shè)定之判定條件進(jìn)行比對(duì),此測(cè)試與待測(cè)物的感量變化有關(guān)聯(lián),感量差異會(huì)造成后段線圈自體震蕩頻率改變使波形的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)面積產(chǎn)生差異。
  • 波形顫動(dòng)偵測(cè) (Flutter Detection):以一階微分演算出波形上產(chǎn)生之總放電量,再與樣本之波形總放電量做比對(duì)。
  • 放電量二次微分偵測(cè) (Laplacian Value):以二階微分演算后,與設(shè)定之判定條件做比對(duì),可有效檢測(cè)出因電氣放電或電極焊接**引起波形快速變化現(xiàn)象。





波峰比偵測(cè)(Peak Ratio):在IWT BDV Test模式下,將待測(cè)物自體諧振波形的**個(gè)峰值與**個(gè)峰值計(jì)算出波峰比。并可利用波峰比的容許范圍來(lái)判定待測(cè)物是否過(guò)度劣化。亦可用于分析待測(cè)物的劣化電壓點(diǎn)/崩潰電壓點(diǎn)。



波峰降比偵測(cè)(ΔPeak Ratio):在IWT Test模式下,將待測(cè)物自體諧振波形的**個(gè)峰值與**個(gè)峰值計(jì)算出波峰比,并將此波峰比與樣品的波峰比進(jìn)行比較。如果待測(cè)物與樣品的波峰比相同,Δ PEAK RATIO將會(huì)等于0%。Δ PEAK RATIO為待測(cè)物與樣品的波峰比差所占樣品的波峰下降比之比例. 操作者可利用Δ PEAK RATIO的上下限設(shè)定來(lái)設(shè)定容許的范圍,以便篩檢出與樣品差異較多的異常品。


共振波面積比較(ΔResonant Area):在IWT Test模式下,概念與波形面積比較相當(dāng),針對(duì)開(kāi)關(guān)(SW1)開(kāi)路后待測(cè)物所產(chǎn)生的自體諧振波形做觀察,并將待測(cè)物與樣品的自體諧振波形總面積進(jìn)行比較,面積大小與待測(cè)物線圈絕緣有關(guān),線圈絕緣**會(huì)造成波形快速衰減,因此面積也會(huì)相對(duì)較小。


低感量脈沖測(cè)試技術(shù)
Chroma 19301A為針對(duì)低感量繞線組件待測(cè)物而開(kāi)發(fā),*小測(cè)試感量可對(duì)0.1uH產(chǎn)品進(jìn)行層間短路測(cè)試,低感量待測(cè)物有別于一般感量產(chǎn)品測(cè)試應(yīng)用,因待測(cè)物的感量較低,所以容易受到測(cè)試回路上配線之等效電感影響。測(cè)試電壓產(chǎn)生分壓于配在線,使待測(cè)物端電壓遠(yuǎn)低于量測(cè)的設(shè)定電壓。另外,如低感量的Power choke,其工作電壓應(yīng)用于較低電壓,因此其脈沖測(cè)試電壓通常會(huì)低于一般感量產(chǎn)品。
低電壓檔位
低感量產(chǎn)品,如智能型手機(jī)中的Power choke,其工作電壓較低且體積較小,可測(cè)試電壓相對(duì)較低,因此用于量測(cè)低感量之脈沖測(cè)試設(shè)備需具備較低電壓檔位來(lái)進(jìn)行波形分析,Chroma 19301A 具有七個(gè)電壓檔位分別為25V, 50V, 100V, 200V, 400V, 800V及1600V,以及擁有*低0.25V的電壓辨識(shí)度,*小測(cè)試電壓可從10V開(kāi)始進(jìn)行測(cè)試,可有效提高波形判定辨識(shí)能力。


▲(圖9) 19301A低感脈沖測(cè)試器的測(cè)試波形                   ▲(圖10) 一般脈沖測(cè)試器的測(cè)試波形

四端測(cè)量
一般兩線式層間短路測(cè)試設(shè)備因電壓偵測(cè)在電流循環(huán)內(nèi)部,在低感量待測(cè)物,測(cè)得電壓值與實(shí)際待測(cè)物上的值有很大差距,Chroma 19301A 采用雙同軸線四線偵測(cè)方式,大幅提高電壓精度,達(dá)到正確測(cè)試效果。


接觸檢查功能(** I516773)
Chroma 19301A 于測(cè)試前會(huì)進(jìn)行接觸檢查,避免因?yàn)榻佑|**或開(kāi)路使得內(nèi)部以*大電壓輸出造成治具端探針接線因高壓而跳火,導(dǎo)致待測(cè)物受到損壞。并可延長(zhǎng)探針使用壽命。
電壓補(bǔ)償功能(** I516773)
一般如變壓器等感量較大的線圈進(jìn)行測(cè)試時(shí) ,配線等效感量相對(duì)較小,但在低感量測(cè)試時(shí),低感量待測(cè)物(如0.2uH)會(huì)因配線等效感量大小會(huì)影響待測(cè)物上之實(shí)際電壓,尤其在自動(dòng)化測(cè)試應(yīng)用時(shí),降低配線影響是一重要設(shè)計(jì)考慮。過(guò)高的配線阻抗會(huì)使低感量測(cè)試時(shí)電壓分壓在測(cè)在線,導(dǎo)致待測(cè)物上的電壓低于設(shè)定值而無(wú)法有效檢出**品。且電感產(chǎn)品感量規(guī)格*高可達(dá)正負(fù)30%,因此于低感量測(cè)試應(yīng)用時(shí),會(huì)因待測(cè)物感量變化而造成實(shí)際端點(diǎn)上電壓差異更加明顯,導(dǎo)致波形面積判定失效或測(cè)試電壓未達(dá)要求之電壓。Chroma 19301A具備電感差異電壓補(bǔ)償功能,改善上述問(wèn)題及降低因感量差異造成于端點(diǎn)上實(shí)際電壓的差異,進(jìn)而降低誤判的可能性。
一般應(yīng)用時(shí)電感待測(cè)物(Lx)兩端端電壓(Vx)會(huì)與配線電感(Li&Lw)于線路上形成串聯(lián)分壓,其計(jì)算方式如下:




▲ (圖13) 無(wú)電感差異電壓補(bǔ)償功能                              ▲ (圖14) 具有電感差異電壓補(bǔ)償功能

 產(chǎn)品應(yīng)用
高低感量產(chǎn)品測(cè)試
Chroma 19301A除了低感量產(chǎn)品測(cè)試技術(shù)外,也同時(shí)涵蓋到較高感量產(chǎn)品測(cè)試應(yīng)用,可從0.1uH ~ 100uH 。于測(cè)試初始進(jìn)行樣品取樣時(shí),透過(guò)內(nèi)部電感量測(cè)量功能得知待測(cè)物感量大小,自動(dòng)切換到合適檔位進(jìn)行測(cè)試(切換點(diǎn)可設(shè)定),使待測(cè)物在適當(dāng)波形下進(jìn)行比對(duì)測(cè)量,對(duì)使用者操作來(lái)說(shuō)是相當(dāng) 便利的一項(xiàng)功能。單一臺(tái)層間短路測(cè)試器即結(jié)合了高低感量產(chǎn)品測(cè)試應(yīng)用,客戶于生產(chǎn)在線進(jìn)行產(chǎn)品更換時(shí)可省略設(shè)備更換時(shí)間,不僅縮短了產(chǎn)品換線工時(shí)同時(shí)也降低工廠設(shè)備負(fù)擔(dān),有助于工廠端生產(chǎn)管理也替客戶節(jié)省設(shè)備資本支出之成本。
崩潰電壓分析 (B.D.V - Breakdown Voltage)
Chroma 19301A具有崩潰電壓分析功能,設(shè)定起始電壓與結(jié)束電壓及電壓爬升率,利用電壓爬升過(guò)程偵測(cè)波形面積比(Area SIZE)、二階微分偵測(cè)(Laplacian)及波峰比偵測(cè)(PEAK RATIO)判定是否超過(guò)設(shè)定值,測(cè)試出線圈可承受耐電壓強(qiáng)度,藉由這些功能,研究人員可以對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行分析與研究,針 對(duì)線圈較弱的地方做改善。
劣化點(diǎn)分析(Deterioration Point Analysis)
在IWT BDV Test模式下,利用波峰比的容許范圍來(lái)判定待測(cè)物是否過(guò)度劣化。亦可使用數(shù)據(jù)來(lái)用于分析待測(cè)物的劣化電壓點(diǎn)/崩潰電壓點(diǎn)。


Pause 暫停功能
在IWT BDV Test模式下,操作者可開(kāi)啟Pause(暫停功能) 。此功能會(huì)使19301A每按一次[START]鍵只做一個(gè)step的測(cè)試,在每一個(gè)Step測(cè)試完后暫停至下一個(gè)step直到[START]鍵再次被 操作者按下。操作者可以利用暫停功能,在暫停時(shí),移動(dòng)待測(cè)物去做其它分析測(cè)試,然后再回來(lái)繼續(xù)下一個(gè)step的測(cè)試。


Screenshot 擷取畫(huà)面功能
操作者可以利用快捷鍵快速擷取操作當(dāng)下屏幕上所顯示的畫(huà)面,屏幕截圖的畫(huà)面將會(huì)快速儲(chǔ)存于插置在19301A上的USB 隨身硬盤(pán)(USB flash drive)。
Export 數(shù)據(jù)導(dǎo)出功能
操作者可以利用Export功能將每一次測(cè)試的數(shù)據(jù)結(jié)果導(dǎo)出并儲(chǔ)存于插置在19301A上的USB 隨身硬盤(pán)(USB flash drive)。操作者亦可針對(duì)每一次的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。儲(chǔ)存文件格式為CSV(Comma Separated Values)。
高速自動(dòng)化測(cè)試應(yīng)用
低感量電感應(yīng)用于智能型手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)等3C產(chǎn)品,產(chǎn)品外觀尺寸趨向輕薄短小設(shè)計(jì),電感于生產(chǎn)上也采用全自動(dòng)化測(cè)包機(jī)進(jìn)行生產(chǎn),其自動(dòng)化機(jī)臺(tái)產(chǎn)速相當(dāng)高,因此產(chǎn)品生產(chǎn)應(yīng)用需搭配高速測(cè)量設(shè)備才能滿足生產(chǎn)條件。為了滿足高速自動(dòng)化測(cè)試應(yīng)用,Chroma 19301A具有超高速測(cè)量功能及雙同軸線四線測(cè)量方式降低配線長(zhǎng)度之影響,可直接搭配層測(cè)自動(dòng)化機(jī)上應(yīng)用,為客戶自動(dòng)化生產(chǎn)帶來(lái)更大效益。測(cè)試速度提升至*快可達(dá)18ms,可大幅提升自動(dòng)化的產(chǎn)量。
SMD Power Choke 測(cè)試治具
低感量Power Choke產(chǎn)品體積小,為了使層間短路測(cè)試操作上能更加便利,Chroma 開(kāi)發(fā)專(zhuān)用之SMD Power Choke四端測(cè)試治具,可搭配19301A之電感差異自動(dòng)電壓補(bǔ)償功能特點(diǎn)應(yīng)用,為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)或品保人員帶來(lái)更為方便進(jìn)行測(cè)試提高測(cè)試效率。


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